如何提高碳化硅衬底的良品率？——半导体产业——YMUS/YMMS兆声清洗
碳化硅衬底（Silicon Carbide Substrate）由于具有优异的高温、高压、高频、辐射等特殊性能，被广泛应用于半导体、微电子、光电等领域，是一种高附加值的新兴材料。碳化硅衬底的制备过程包括基片生长、衬底切割、加工清洗等步骤。
1.生长基片的选材：
碳化硅衬底生长基片的选取是制备碳化硅衬底过程中最重要的一步。目前，主要选用4和6英寸的碳化硅单晶基片作为衬底基础材料，选用优质的碳化硅单晶材料是制备高质量、大尺寸碳化硅衬底的关键步骤。
2.生长基片的质量控制：
生长碳化硅衬底的基片质量对于其后续物理性质和性能具有至关重要的影响。全自动籽晶喷胶粘接设备保证生长出的碳化硅衬底完整、没有裂纹、氧化物或金属等杂质，并且具有均匀的晶体质量。
3.衬底尺寸的加工：
碳化硅衬底的实用规格从2英寸到8英寸，但2英寸和4英寸的衬底尺寸最常见。要保证精准的尺寸加工技术和纵横比控制，以确保加工出符合要求的高质量衬底。
4.衬底表面的清洁：
为了提高晶体的品质和化学稳定性，生长碳化硅衬底前必须将衬底表面清洗到无尘无杂质的程度，否则衬底质量和性能将受到严重影响。因此，衬底的清洗必须非常严格，经常需要在高洁净度无菌室使用兆声清洗设备进行处理。
5.设备技术：
碳化硅衬底制备需要高精度的设备和控制系统，需要充分掌握前沿的生长技术和 相关工艺；精密加工、大尺寸生长和高效资源利用是现阶段制备碳化硅衬底的主要问题之一。
制备碳化硅衬底的重点和难点在于设备制备、基片的选择和加工、晶体生长以及衬底表面清洗等方面。因此需要高度的专业性和技术要求，需要全面的技术支持和丰富的生产经验。
YMUS超声喷涂系统
YMMS兆声清洗系统
